Ошибка hytech нет памяти для работы код 2

Содержание

Программирование NAND для чайников.
Часть 1. Ошибки.

Просмотров:(1573) 4.89 (9) Оценки, комментарии

2021-02-11 Дата последнего изменения: 2021-02-28

В статье в предельно доступной форме рассматриваются особенности применения микросхем NAND FLASH.

CОДЕРЖАНИЕ:

NAND не совсем обычные микросхемы, поэтому те инженеры, которые с ними сталкиваются впервые, часто бывают обескуражены. Более подробно, хотя и очень примитивно, особенности NAND описаны в статьях "Программирование NAND FLASH" и "Программирование SPI NAND".

Здесь же я постараюсь изложить суть использования NAND еще проще.

Тому, кто собирается работать с NAND профессионально, материала из этой статьи будет явно недостаточно, но для любителя, который решил отремонтировать 2–3 прибора, в которых используется микросхема типа NAND, это может очень помочь.

1. Коварство NAND. Структура.

NAND организованы следующим образом: страницы > блоки –> логические модули –> кристаллы.

На рисунке ниже показан типичный пример организации микросхемы NAND с одним логическим модулем и одним кристаллом.

структура NAND?

В чем коварство NAND? В адресации.

Даже начинающий радиолюбитель знает, что к любой ячейке микросхемы памяти можно обратиться, указав её адрес. Перебирая по порядку все адреса с первого до последнего, можно считать или записать всю микросхему (именно так поступает программатор).

В микросхемах NAND обращение к отдельным ячейкам невозможно. Программирование выполняется одновременно только в пределах одной страницы, а при стирании обращение производится к блокам или к группам блоков. Страница — минимальная единица NAND, которую можно считать или записать, а при стирании минимальная единица — это блок или группа блоков.

При считывании NAND всегда происходит чтение всей страницы целиком, страница перемещается во внутренний буфер (page register), а уже из буфера можно прочитать содержимое страницы байт за байтом или в произвольном порядке.

То же самое при записи — сначала заполняется внутренний буфер (целиком или частично), затем страница записывается целиком. Размер буфера равен размеру страницы. Коварство адресации в том, что размер страницы не кратен степени двух. То есть просматривать содержимое микросхемы байт за байтом не получится.

2. Коварство NAND. Ошибки.

При работе микросхемы NAND возникновение ошибок — это норма. "Как так? Как можно работать с такой микросхемой?!" — скажете вы. Как можно работать с такой памятью? Способы есть, но об этом позже, а сейчас о типичном заблуждении начинающих:

Спокойно, дружище, спокойно. Это NAND, она так работает.

Сейчас типичная страница наиболее распространенных NAND равна двум килобайтам плюс дополнительные байты. Очень многие микросхемы при чтении дают до 16-ти одиночных ошибок на одну страницу. И это нормально. Берем, например, микросхему на 2 гигабайта. Нехитрое вычисление. Получаем, что при считывании микросхемы может быть до 16 777 216 ошибок!

Еще раз: 16 миллионов! Ошибок в микросхеме! Как с этим жить?! Как может что-то работать вообще? Об этом поговорим чуть позже.

А сейчас поясним понятие "одиночные ошибки".

"Одиночная ошибка" — это не одна единственная ошибка на страницу или микросхему, это ошибка в одном бите. Таких ошибок может быть много, вопреки слову "одиночная". Применительно к памяти такие ошибки правильнее было бы называть однобитными, но термин "одиночный" пришёл из теории передачи данных по линиям связи, где ошибки выявляют и исправляют такими же способами, что и в NAND.

3. Магия ЕСС.

Все наверное знают, что такое CRC. Код CRC (еще иногда (ошибочно) называют "контрольная сумма") — это такой специальный код, который позволяет найти ошибку в данных.

ЕСС — это более продвинутый код. Он позволяет не только обнаружить но и исправить (!) ошибку в данных. Поэтому он и называется ECC (Error Correction Code) — Код Исправляющий Ошибки.

Как работает такой код? Ох, лучше не спрашивайте. Я сам не понимаю (шутка). Просто поверьте в магию. Страница считана с ошибками, но код ЕСС может все исправить. Задействуем код ЕСС — и все читается без ошибок.

Кратко опишем как выглядит работа кодера/декодера ЕСС:

Вот до этого места коды CRC и ECC не сильно отличаются, магия ЕСС начинается дальше:

Вот и вся магия. Мы просто исправляем ошибки.

Конечно код ЕСС не может исправить все ошибки. Он может исправить их небольшое количество, скажем 16. Но нам больше и не нужно! Микросхема ведь не делает много ошибок :)

4. Коварство NAND. Магия ЕСС есть, но она не работает.

"Так просто?" — скажете вы. "Тогда почему программатор не использует ЕСС для исправления ошибок?! Я из раза в раз читаю микросхему и все время ошибки".

Да. Действительно, почему?

А вот почему.
Чтобы исправить все ошибки нужно знать:

Как? Вы это не знаете?! Вот и мы не знаем. И, возможно, никто, кроме разработчика прибора, не знает.

5. Почему алгоритмов расчета ECC так много.

На данный момент самые распространённые коды исправляющие ошибки это:

Математические теории кодов достаточно сложные, но основные приемы работы с кодами известны, порождающие полиномы легко найти. Казалось бы, мы легко сможем подобрать нужный алгоритм ECC, просто анализируя прошивку. Сначала мы тоже так решили, однако всё оказалось сложнее.

Большинство современных встроенных систем базируются на Linux. Linux для работы накопителей на основе FLASH памяти, как правило, использует драйвер MTD. В драйвере MTD реализовано программное кодирование для NAND кодом BCH с вполне известным набором полиномов. Всё будто просто, но в реальной жизни (в реальных прошивках) такое кодирование не встречается. Почему? Всё упирается в деньги. Вернее, в желание производителей аппаратуры их сэкономить.

Почему вместо обычной памяти FLASH, работающей безошибочно, используются NAND, производящие кучу ошибок? Потому что это в разы дешевле. За разработку алгоритма кодирования/декодирования ЕСС заплатить нужно ОДИН раз, за память без ошибок нужно платить КАЖДЫЙ раз в КАЖДОМ устройстве.

Ровно по этой же причине в реальных устройствах (особенно массовых) никогда не используется чисто программное декодирование ЕСС – это декодирование является очень ресурсозатратным. Получается: ставим дешевую память – получаем или медленно работающее устройство, или нужно ставить мощный процессор, стоимость которого сводит на нет выгоды от использования дешевой памяти.

Поэтому декодированием ЕСС в современных системах занимаются специальные сопроцессоры или контроллеры. Придумываются и реализуются более совершенные коды ЕСС. Часто используются комбинированные коды CRC/ECC. Код CRC рассчитывается быстрее, чем ЕСС, это позволяет использовать CRC-часть для обнаружения ошибок, а полное декодирование ЕСС — только при их наличии.

Все эти коды и алгоритмы являются предметом авторского права и собственностью компаний, их разработавших. Ежедневно патентуются все более совершенные коды и все более быстрые алгоритмы их расчета. И никто не спешит делиться своими секретами.

Для тех, кого посетит мысль о том, что взломать алгоритм ECC не сложно, хочу напомнить, что для шифрования данных и расчета кодов исправления ошибок используется идентичный математический аппарат.

6. Коварство NAND. Магия ЕСС есть, но она не работает. Что делать?

Очень часто нам приходится слышать один и тот же вопрос: "Что делать, если NAND всегда читается с огромным количеством ошибок? Как прочитать без ошибок?"

Проблема может быть успешно преодолена, если вы нам скажете, какой алгоритм ЕСС использует ваше устройство. В этом случае мы сделаем расчет ЕСС по вашему алгоритму и у вас всё будет работать без ошибок при чтении NAND для этого устройства.

Вы не знаете алгоритм? Тогда есть только один способ: толерантность к ошибкам (и этот способ успешно работает).

Просто читаете микросхему. Она будет считана с ошибками. При верификации требуется задать допустимое количество ошибок на страницу микросхемы. (Для всех вновь добавленных микросхем значение по умолчанию уже задано. Если не задано нужно смотреть документацию или просить нас, чтобы мы внесли данные ЕСС в базу).

Программа будет сверять микросхему и подсчитывать количество ошибок. Если количество ошибок не превысит заданное значение — значит всё в порядке. Ошибка сравнения не будет выдана, вы просто будете проинформированы о количестве "исправимых" ошибок.

Но не все так однозначно.

Вот небольшая задачка:
Допустим, микросхема записывается всегда правильно, а все ошибки возникают только при чтении (чаше всего, это именно так). Предположим при каждом чтении каждой страницы всегда возникает ровно 3 ошибки при допустимых для данной микросхемы 4-х ошибках.

Понятно, что пример несколько искусственный, но на нём проще объяснить.

Случай 1:Запись эталона в NAND

Мы записали в микросхему эталонную (точно не содержащую ошибок) прошивку. При верификации получаем 3 ошибки на страницу. Программа предупреждает об исправимых ошибках, но верификация проходит успешно.

Если вы эту микросхему NAND поставите в ваш прибор, он исправно заработает, поскольку встроенный в прибор алгоритм ЕСС обязан(!) исправлять не менее 4-х ошибок на страницу (это паспортные характеристики данной NAND и прибор просто обязан справляться с таким количеством ошибок).

Случай 2:Чтение микросхемы NAND

Мы считали прошивку из исправной микросхемы, стоящей в приборе (напомню, мы получаем по 3 ошибки на страницу). Далее мы еще раз считывали прошивку. Мы опять получили 3 ошибки на страницу.

Но ошибки не возникают в одних и тех же местах! При сравнении результатов 1-го и 2-го считывания может получиться до 6-ти ошибок на страницу. Это превысит допустимые 4 для данной микросхемы, но это вовсе не означает, что микросхема неисправна!

Случай 3:Копирование микросхемы NAND

Мы считали прошивку из исправной микросхемы, стоящей в приборе (получая по 3 ошибки на страницу). Далее записали полученную прошивку в чистую микросхему.

При верификации получим по 3 ошибки на страницу. Это вроде бы меньше 4-х. Но заработает ли прибор? Не факт. Всего ошибок может быть до 6-ти на страницу (3 при считывании образца плюс 3 при работе микросхемы в приборе), но ЕСС прибора исправит только 4.

На самом деле, в реальной жизни, количество ошибок по страницам в микросхемах сильно колеблется. В новых микросхемах количество ошибок не превышает одной-двух, да и то не на каждой странице. Заявленное число ошибок (в нашем примере 4) это уже в сильно изношенной микросхеме. Беда только в том, что в ремонт с формулировкой "слетела прошивка" именно такие приборы и попадают.

7. Практический совет по выбору порога ошибок.

Можно порекомендовать простой алгоритм выбора количества допустимых ошибок при верификации (настройка порога толерантности):

Случай 1. Очень оптимистичный. У вас есть эталонная прошивка и она точно без ошибок.

Такую прошивку можно писать и верифицировать с порогом ошибок, заданным в документации на микросхему (во всех наших примерах – это 4).

Случай 2. Реальный. У вас нет эталонной прошивки.

Вы считываете прошивку из микросхемы. Чтобы ее можно было уверенно использовать, количество ошибок на страницу не должно превышать половины лимита (т. е. для нашего примера — это 2 ошибки). Далее вы пишете эту прошивку в микросхему. При верификации записанной микросхемы ошибок тоже не должно быть более 2-х.

При соблюдении этих условий прибор заработает с очень высокой вероятностью (ЕСС прибора должно исправить 2+2=4 ошибки).

Чем больше вы ошибок получаете при считывании эталона и верификации записи, тем меньше вероятность того, что алгоритм ЕСС справится с исправлением ошибок и прибор заработает. Здесь уже как повезет. :)

8. "Ваш программатор полный отстой, вот другие программаторы решают эту проблему".

Нет. У других производителей программаторов (во всяком случае у всех, которые нам известны на данный момент) всё точно так же. Те же предложения: "Cкажите какой ЕСС и мы все реализуем".

Те же методы верификации с "терпимостью" ошибок ЕСС. У некоторых производителей есть настройка с выбором алгоритмов из встроенного стандартного набора, с необходимостью указания полинома, разметки страницы и кучи других параметров. В практической жизни это вам не сильно поможет.

9. "Я все прочитал и ничего не понял.
Вы сможете наконец что-то сделать, чтобы NAND читались "нормально"?"

Мы над этим работаем. До сих пор мы не оставляем надежды на создание способа автоматического восстановления алгоритма ЕСС (хакинга) только на основании анализа прошивки.

Понятно, что для всех случаев его создать никогда не удастся, но если нам удастся восстановить алгоритм ЕСС хотя бы в четверти случаев, мы будем просто счастливы.

Что для этого нужно? Присылайте нам свои считанные прошивки. Присылайте нам как можно больше считанных прошивок. Я знаю, что они для вас представляют ценность, но мы не собираемся их распространять или использовать как-то кроме их анализа на предмет ЕСС и таблиц плохих блоков. Если вы опасаетесь, можно скрывать название системы, в которой прошивка используется.

Всё что нас интересует — это название микросхемы, из которой прошивка считана. Для лучшей защиты своих интересов вы можете прислать прошивку не полностью. Если вы опасаетесь — не присылайте. Это только просьба.

Еще очень желательно знать марку контроллера NAND, используемого в системе или марку центрального процессора, то есть название микросхемы, к которой NAND подключена.

Собрав достаточную базу прошивок, я надеюсь, нам удастся "хакнуть" ЕСС и сильно облегчить вам работу с NAND.

Только совместными усилиями мы сможем добиться значительных результатов в работе!

4.89 (9)

Ошибки NAND памяти и методы борьбы с ними

Предлагаю сегодня несколько углубиться в тему SSD накопителей, вернее, в работу NAND памяти как таковой. Не секрет, что в процессе ее функционирования возникают ошибки, которые необходимо предотвращать или корректировать таким образом, чтобы не нарушить целостность данных и обеспечить работоспособность устройства в целом. Давайте поговорим про ошибки NAND памяти и методы борьбы с ними, какие бывают, что является причиной возникновений, как с ними борется контроллер.

Классификация ошибок

Принято делить ошибки на два основных вида – постоянные (некорректируемые) и временные (корректируемые). К первым относится главным образом износ ячеек по причине исчерпания их ресурса. Серьезные производители часто указывают гарантированный ресурс накопителя, т. е. максимальный объем данных, который можно записать без возникновения ошибок.

Как часто бывает, эти значения чаще всего имеют мало общего с реальностью, и количество данных, которые действительно можно отправить на тот или иной SSD, существенно больше, чем нам гарантирует производитель. Узнать это можно, если провести тестирование интересующего накопителя. Процесс этот небыстрый, но результаты порой бывают интересными.

Так, на момент написания этой статьи у меня тестируются два накопителя – Crucial BX500 с памятью TLC и A-data SU635, в котором установлены чипы NAND типа QLC, способные хранить 4 бита в одной ячейке.

Но вернемся к сегодняшней теме. Второй класс ошибок (временные) можно подразделить на несколько типов, с которыми предлагаю познакомиться немного подробнее.

Read Disturb Error – ошибки чтения

Как следует из названия, эти ошибки никак не связаны с циклами записи/стирания (P/E) ячеек, а причиной возникновения является операция чтения. Почему? Давайте разберемся.

Err_NAND_fets

Кратко напомню, что представляет собой NAND память. В качестве запоминающего элемента ячейки используется транзистор. На данный момент применяется технология изготовления транзисторов с плавающим затвором, который (собственно затвор), и является хранителем заряда, величина коего позволяет определить, какая комбинация бит хранится в ячейке.

Err_NAND_NAND-vs-NOR-Flash-memory-01

Особенностью именно NAND памяти, в отличие от NOR, является организация поблочного доступа к данным, т. е. оперировать отдельными битами/байтами нельзя, можно только считать сразу целый блок данных, произвести там изменения (если требуется) и вернуть этот блок обратно на накопитель.

Для того чтобы определить, какое значение хранится в ячейке, надо измерить уровень заряда, хранящийся в ней. Это пороговое значение напряжения позволит идентифицировать комбинацию бит, которая тут записана. Чтобы выполнить это, на затвор транзистора подается референсное напряжение, что затем позволит измерить пороговое напряжение ячейки.

Err_NAND_fl101_5_Fig1_c

Напряжение считывания (VREAD) изначально выше максимально возможного порогового напряжения, но оно гораздо ниже напряжения, которое необходимо для перепрограммирования ячейки или ее стирания. Казалось бы, в чем может быть проблема?

А проблема в организации NAND памяти. Т. к. мы оперируем не отдельными битами, а блоками данных, то и считывающее напряжение подается на весь блок, из которого потом другим сигналом выбирается нужная нам страница данных. Что при этом происходит?

После считывания нужной порции данных сигнал чтения снимается, и… ничего не происходит? Почти. Проблема в том, что референсное (опорное) напряжение пусть немного, но влияет на ячейки данных, из которых не производилась выборка, но которые «попали под раздачу» по причине того, что находились в том же блоке, что и интересовавшая нас страница. Уровень порогового напряжения изменяется, пусть и на мизерную величину.

Это проблема? После одного чтения нет, и после десяти тоже, и даже после тысячи скорее всего нет. Но все же изменение напряжения в неактивных ячейках неуклонно повышается. Следует отметить, что речь именно о неактивных ячейках на тех страницах, на которые подано опорное напряжение, а чтение из них не производится.

Кстати, на использовании этого эффекта нежелательного изменения значений в ячейках основана хакерская атака на накопитель, цель которой – заставить его выполнять большое количество операций чтения из одних и тех же блоков данных. Это может привести к искажению информации в блоке именно из-за возникновения ошибки Read Disturb.

Как защититься

В то же время и с ошибками Read Disturb мириться нельзя. Часто контроллеры имеют некое заранее заданное количество операций чтения из одного и того же блока, по достижении которого весь блок принудительно переписывается на новое место с последующей очисткой ранее использовавшегося блока данных. В сочетании с системой коррекции ошибок это позволяет избавиться от возникшей ошибки, и обеспечить равномерное расходование ресурса ячеек NAND.

Program Disturb Error – ошибка при программировании ячейки

Err_NAND_fl101_5_Fig3_c

Отличие лишь в том, что при обновлении информации в ячейке NAND повышенное напряжение за счет имеющихся паразитных емкостных связей между элементами воздействует и на соседние ячейки, что опять-таки может привести к изменению порогового напряжения в них и, как следствие, несанкционированному изменению хранящейся информации.

В данном случае такому нежелательному воздействию подвержены как ячейки из блоков, которые не участвуют в перепрограммировании, так и ячейки, которые располагаются в блоке, выбранном для изменения.

Этот эффект проявляется тем сильнее, чем тоньше техпроцесс, который использовался для изготовления NAND.

Как защититься

Панацеей от этого типа ошибок вновь выступает перенос блока, в котором содержатся поврежденные, но поддающиеся исправлению данные, в другой блок.

Over-Programming Error – ошибка перепрограммирования

Еще один тип корректируемой ошибки – перепрограммирование. Такая ситуация может возникнуть в случае, если при программировании страниц пороговое напряжение в ячейках соседних, находящихся в том же блоке, но не участвующих в операции изменения страниц становится слишком высоким, не соответствующим исходным заданным значениям и не позволяющим провести операцию чтения.

Err_NAND_fl101_5_Fig2_c

Чаще всего это случается с ячейками, в которых по тем или иным причинам после операции стирания в плавающем затворе транзистора сохраняется слишком высокое исходное напряжение. Такое нередко случается с ячейками, ресурс которых уже почти выработан.

Как защититься

На помощь вновь приходит механизм переноса блока данных в новое место, благо ошибка поддается корректировке силами контроллера.

Retention Error – ошибка удержания заряда

Хранящиеся в накопителе данные склонны к повреждению с течением времени. Связано это с падением уровня напряжения в ячейке, точнее, в плавающем затворе транзистора. Хотя он окружен изолирующим оксидным слоем, все же постепенная утечка электронов через этот слой имеет место.

Чем более изношена ячейка, тем активнее идет утечка заряда через изолирующий слой, который постепенно теряет свои физические свойства. Ускорить процесс искажения записанных в NAND память данных могут продолжительное нахождение ячеек в отключенном состоянии, повышенная температура, тип ячеек (MCL, TLC, QLC), использованный для производства чипа техпроцесс, толщина изолирующего оксидного слоя и т. п.

По поводу четырехбитовых ячеек должен сказать, что я провожу эксперимент с имеющимся у меня накопителем Crucial P1, в котором как раз QLC NAND. Он сейчас заполнен наполовину объема файлами, и теперь он просто лежит в коробочке, где проведет не менее полугода (как минимум до сентября этого года), что позволит проверить, случится ли что-то с информацией на накопителе, который длительное время не включался.

Способность держать заряд – одна из важных характеристик любого накопителя. Хотя предполагается, что большинство из них если и обесточивается, то на сравнительно короткое время (часы, максимум несколько дней), все же хочется быть уверенным в том, что спустя более продолжительный период все данные останутся целыми и невредимыми.

Как защититься

Универсальное решение для корректируемых ошибок – регулярная перезапись данных из одного блока в другой. Этой работой занимается контроллер, и он же следит за ресурсом ячеек.

Механизмы мониторинга и обработки ошибок NAND

Раз возможны ошибки, надо как-то следить за их возникновением и исправлять. Для этого используются несколько технологий и методов.

Error Correction Codes (ECC)

Технология выявления и исправления ошибок в устройствах памяти ECC применяется давно. Используется она, в частности, в модулях RAM, устанавливаемых в сервера, т. е. там, где требования к надежности работы и отсутствию ошибок очень жесткие.

Суть метода заключается в добавлении дополнительных бит к битам данных, что позволяет обнаруживать и корректировать ошибку. Так, к m-битам блока данных добавляется k-бит дополнительной информации, в результате чего блок данных становится равным m+k. Количество дополнительных бит зависит от используемого алгоритма ЕСС.

Такой алгоритм кодирует m+k таким образом, что из всех доступных комбинаций 2 ( m+ k) только минимальное количество комбинаций соответствует корректным данным. Если изменится бит в данных, то это сразу станет видно, и ошибка может быть исправлена.

Количество дополнительных бит варьируется не только в зависимости от применяемого алгоритма ECC, но и от типа NAND памяти, используемой в накопителе. Так, для SLC требуется меньшего всего дополнительных бит, чем для TLC, и тем более для QLC. Количество также зависит от количества циклов P/E, т. к. ячейки постепенно изнашиваются и вероятность появления ошибки становится выше.

Err_NAND_hammond

Например, код Хэмминга способен определять ошибки в двух битах и корректировать один бит, что делает его пригодным для использования с SLC NAND, где потребуется всего один дополнительный проверочный бит.

Wear Leveling – выравнивание износа ячеек

Операции записи в NAND память не проходя бесследно и являются основной причиной износа ячеек. Для того, чтоб максимально продлить жизнь памяти, используется механизм выравнивания износа. Его смысл в том, чтобы не допускать ситуации, когда в одних блоках NAND содержатся редко изменяемые данные, а в других блоках обновление информации происходит часто.

Wear Leveling и призвана обеспечить равномерное использование всего объема памяти. Контроллер следит за количеством циклов записи в ячейки и стремится, чтобы количество циклов записи/стирания (P/E) было примерно одинаковым у всех блоков. Различают два метода выравнивания износа:

Второй метод обеспечивает более равномерный износ и, как следствие, большую продолжительность жизни накопителя, но требует больших вычислительных ресурсов и затрачивает больше времени на манипулирование блоками данных внутри накопителя.

Bad-Block Management

Назначение этого механизма знакомо по обычным жестким дискам, где также ведется мониторинг состояния поверхности пластин и вышедшие из строя дорожки отправляются в «плохие» (Bad) и заменяются новыми из резервной области.

В SSD принцип действия тот же. Недопустима ситуация, когда целостность данных нарушается из-за того, что информация была записана в блок, который уже не в состоянии обеспечить полноценную работу. Для этого ведется мониторинг состояния блоков данных, и при получении ошибки, не позволяющей в дальнейшем использовать этот блок, он помечается плохим и прописывается в таблице плохих блоков.

Ошибки NAND памяти

Эта таблица присутствует всегда, т. к. уже на этапе производства или тестирования чипа могут появится плохие блоки. Причем, тестирование на заводе производится в более жестких условиях, чем при обычной работе. Вполне возможна ситуация, когда изначально помеченный как плохой, блок может вполне проходить проверки при повседневном использовании накопителя. Тем не менее, следует избегать использования таких блоков.

Прежде, чем записывать информацию в блок, необходимо проверить, что он отсутствует в таблице плохих блоков. Количество поврежденных блоков растет по мере использования накопителя из-за износа ячеек. Если в ответ на выполнение операции стирания или программирования страницы получено сообщение об ошибке, то блок должен быть помечен как плохой и занесен в соответствующую таблицу.

Выход из строя одной страницы блока не означает, что другие страницы также проблемные, но тем не менее, весь блок идет «в утиль». После занесения блока в таблицу плохих блоков он больше не используется.

Как устранить основные ошибки на Android

Самая популярная в мире ОС известна своей нестабильностью. Каждый пользователь Андроид хоть раз встречался с той или иной ошибкой, но не все находили решение. Сразу же менять свой девайс из-за этого точно не стоит. Далее мы разберём основные ошибки на Android и способы их решения. Часто и ошибки-то нет, а есть всего лишь небольшая помеха в работе тех или иных функций, которая решается парой простых действий.

Множество роботов Android

Иногда Android при работе может выдавать системные ошибки. В этом нет ничего страшного

Наиболее частые ошибки

Этот раздел содержит неполадки, которые исправить, как правило, не составляет труда или вовсе не требуется. Часто их причиной может быть даже не само устройство. Но встречаются и такие, которые заставили понервничать пользователей.

В приложении снова произошел сбой

Пользователи Android столкнулись с этой ошибкой 23 марта 2021 года, с выходом нового обновления на Android System Webview. Что бы не испытывать проблем пока разработчики не обновили ПО, представляем решение ниже.

Решение для всех: «Настройки» → «Приложения» → в меню с тремя точками включить отображения системных приложений → в поиске найти Android System Webview → нажать «Удалить обновления». У некоторых пользователей отсутствует кнопка для удаления обновления WebView или это просто не помогает, в таком случае можно попробовать обновить или удалить и заново установить браузер Chrome.

Нехватка памяти

Это нельзя назвать ошибкой, скорее, ограничением возможностей вашего девайса. Да, действительно, на старых, да и на новых, устройствах внутренняя память иногда резко заканчивается. Решается проблема очень просто.

Если вы пользуетесь такими приложениями, как Instagram, VK, то однозначно виноват кэш, который они накапливают очень быстро и в большом количестве.

Такая очистка может освободить до нескольких гигабайт свободного места. Ещё можно полностью стереть данные в приложении, но затем придётся заново «логиниться».

Из-за переполненной памяти могут возникать ошибки под разными номерами. Например, ошибка 919, когда приложение не может включиться из-за недостатка места.

На некоторых устройствах (далеко не на всех) можно часть программ перенести на карту памяти. Так вы высвободите ещё больше места. Делается это из того же пункта в настройках. Лучше почаще следить за наличием свободного места, чтобы гаджет всегда работал исправно и без тормозов.

Ошибка аутентификации Wi-Fi

Также одна из самых популярных неполадок на Android. Хотя на самом деле очень редко проблема лежит в устройстве. Чаще её причиной становится роутер, точнее, его несовместимость с вашим девайсом. Решается проблема довольно быстро.

Первый метод, самый очевидный, просто проверить правильность введённого пароля. Ведь аутентификация — это и есть не что иное, как проверка ключа безопасности. Поэтому попробуйте забыть проблемную сеть и затем заново ввести пароль.

Если с паролем всё в порядке, а Wi-Fi всё равно не хочет подключаться, то причина однозначно лежит в настройках роутера. Дело в том, что его тип шифрования данных может быть более старым, чем используемый на Android-устройстве, или же устройством не поддерживается какой-либо стандарт сети.

В таком случае нужно зайти в настройки роутера.

После этого проблемы с подключением к Wi-Fi должны исчезнуть.

Ошибка синтаксиса

Ошибка заключается в том, что файл, который устанавливает определённое приложение, неправильный или был неправильно запущен. Кроме того, может произойти сбой во время установки, который тоже приводит к ошибке синтаксиса.

Исправить это довольно легко. Во-первых, убедитесь в том, что файл, который вы скачали, имеет формат apk. Поскольку именно файлы такого формата являются инсталляторами приложений на Android. Во-вторых, удалите этот скачанный файл и заново загрузите его, а затем переустановите. Есть смысл попробовать скачать файл с другого сайта. Это, как правило, убирает ошибку.

Поврежденный робот Android

Ошибка загрузки

Происходит часто на старых устройствах, на новых такая проблема уже не возникает. Заключается в том, что стандартный менеджер загрузок даёт сбои, из-за чего становится трудно загрузить что-либо из интернета. Ошибка исправляется довольно легко.

Достаточно лишь скачать новый менеджер загрузок. Отлично для этих целей может подойти ES Проводник. Он имеет хороший встроенный менеджер загрузок.

Android-клавиатура AOSP

Эта клавиатура сама по себе не из лучших. Кроме того, она не очень хорошо оптимизирована на некоторых прошивках, из-за чего возникают ошибки. Решить их просто.

Ошибки с аккаунтами Google

Ошибки может быть две: аккаунт не хочет синхронизироваться либо не хочет добавляться. Первая может присутствовать как на старых, так и на новых девайсах, а вторая постепенно уходит в прошлое. Исправить всё это не так уж и сложно.

Добавление аккаунта Google скриншот

Вирус Netalpha

Новая проблема, которая встречается пользователям Android. Это вредоносное ПО затрудняет работу с телефоном и не даёт себя удалить. Проблема достаточно серьёзная, поскольку предполагает только два решения, одно из которых весьма радикальное.

Com. android. snap

Ошибка «com. android. snap» возникает при использовании различных приложений: популярных фоторедакторов, мессенджеров. Эта надпись часто появляется на чёрном фоне, что сильно отвлекает, а программы могут просто закрываться.

Считается, что этот сбой вызывает вредоносное ПО, поэтому многие советуют просто установить антивирус. Однако можно обойтись и без него системными методами.

После этого программа перестанет досаждать, и более вы не увидите эту надпись на чёрном экране. Если на девайсе установлен антивирус, то можно удалить баг с его помощью. Но, как показывает практика, на устройствах с антивирусниками редко случается эта ошибка.

Помимо com. android. snap, существует также com. android. systemUI. Объединяет их то, что они являются вирусами типа троян. Соответственно, обезвреживается программа точно так же.

Com. android. phone

Если система пишет, что в приложении com. android. phone произошла ошибка, значит, проблема заключается в программе, которая отвечает за совершение звонков на вашем планшете или смартфоне. Появляется ошибка по разным причинам. Поэтому и способы решения будут для каждого разные.

Android. process. acore

Если произошла ошибка с android. process. acore, то проблема уже не связана ни со «звонилкой», ни с вирусами. Здесь причины могут быть следующие:

Белый смартфон на Android в руке

Трудность решения проблемы зависит от причины её появления. Чаще всего, она решается простым удалением всех контактов через настройки устройства. Если вы перед этим синхронизируете все контакты с Гугл, то вообще ничего не потеряете.

Есть вариант сбросить настройки всех приложений через соответствующий пункт меню. Это также часто избавляет от проблемы, причём данные вы не теряете. Если у вас установлены приложения по оптимизации работы Wi-Fi, то их тоже стоит попробовать удалить. Часто причина кроется именно в них.

Adroid. process. media

Ошибка Андроид Процесс Медиа происходит по двум причинам: Хранилище Мультимедиа или Диспетчер загрузок. Решаются обе довольно просто. Есть два общих способа, которые практически всегда безотказно работают.

Первый способ

Второй способ

После применения одного из этих способов проблема исчезнет.

Неверный пакетный файл

Ошибка часто возникает при обновлении какого-либо приложения. Если это случилось во время обновления, необходимо очистить кэш у этого приложения. Кроме того, можно попробовать вручную скачать apk файл программы и установить её заново. Если не помогло и это, удаляем аккаунт Гугл, перезагружаем устройство и логинимся заново.

PACKADGE FILE INVALID

Ошибка "PACKADGE FILE INVALID"

Installation unssuccesful error

Ошибка номер…

Эти ошибки могут быть более серьёзными. Однако часто и они решаются в несколько простых действий. Всё зависит от номера этой самой ошибки. Причём Google даёт минимум информации о решении различных ошибок.

11, 101, 504, 506, 491, 495, 413, 941, 921, 920, 481, RH01: неполадки с Google Play и учётной записью

Эти ошибки связаны с некорректной работой магазина приложений или учётной записи и решаются практически одними и теми же методами. «Код ошибки 11» Android может выдать при работе Play Market. Часто возникают неполадки под конкретными номерами именно с этим сервисом Гугл. Замечено, что ошибка 11 часто возникает при установке или обновлении WhatsApp.

Ещё одна популярная ошибка, из-за которой Play Market также не хочет загружать приложение, 504. Она возникает на Андроид вследствие тех же причин, что и другие неполадки с загрузкой программ, поэтому методы устранения используются идентичные. То же касается других ошибок.

Google play

Решаются проблемы несколькими способами, причём каждый из них подходит и для большинства похожих ошибок.

Ошибка 24 возникает при установке приложения на Андроид, когда произошёл какой-либо сбой, а часть файлов уже была установлена. Или же это приложение у вас было раньше, вы его удалили, а затем снова решили скачать. Решается проблема довольно быстро.

После этого ошибка должна исчезнуть, а приложение установиться безо всяких проблем.

Эта error возникает при загрузке какого-либо приложения. Проблем может быть несколько, но решить их довольно легко.

После этого ошибка должна исчезнуть.

Загрузка приложения становится невозможной. Ошибка синхронизации с Гугл аккаунтом.

Есть так называемый Dalvik-кэш. В связи с его заполнением у нас опять не хотят устанавливаться те или иные программы. Для решения проблемы чистим данные и отключаем сначала «Аккаунты Google», а затем Google Play Store.

Rh01 /rpc:s-5:aec-0 / RPC:S-3

Система не может получать информацию с сервера. Для исправления неполадки нужно сделать действия, как и при других похожих ошибках.

Вновь не загружается контент из Гугл Плей.

Также не позволяет загружать приложения.

Rpc:aec:0]

Неполадки при получении данных с сервера. Помочь может удаление всех синхронизированных аккаунтов. Затем очищаем кэш и данные Плей Маркета, после чего перезагружаем смартфон или планшет.

Похожей является ошибка RPC:S-3. В случае с ней нужно удалить только аккаунт Гугл, после чего можно попробовать подключить другой или этот же.

Эта неисправность не зависит от нашего устройства. Причина кроется в том, что программа обновляется разработчиками. Поэтому, если мы хотим установить или обновить её, мы этого сделать не сможем. Просто стоит снова попробовать установить её через 30 минут или позже.

Способ решения любых ошибок

Ну и, наконец, метод, который подойдёт для исправления любых неполадок. Но прибегать к нему надо всегда в последнюю очередь. Это возвращение устройства к заводским настройкам. Полная перезагрузка системы Андроид удалит все пользовательские данные, поэтому самое важное стоит предварительно скинуть на карту памяти или сохранить в облачных сервисах.

Сброс настроек

После этого девайс возвращается к заводским параметрам, все неполадки исчезают.

Теперь вы знаете, как исправить подавляющее большинство ошибок на Андроид. Их гораздо больше, но остальная масса неполадок имеет сходные пути решения, особенно ошибки сервисов Гугл Плей, встречается настолько редко, что данных о них ещё нет или уже исправлена разработчиками.

Источники:

https://www. chipstar. ru/articles/nand-dlya-chaynikov/

https://andiriney. ru/oshibki-nand-pamyati/

https://protabletpc. ru/advice/oshibki-android-i-sposobyi-ih-resheniya. html

Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
Добавить комментарий

;-) :| :x :twisted: :smile: :shock: :sad: :roll: :razz: :oops: :o :mrgreen: :lol: :idea: :grin: :evil: :cry: :cool: :arrow: :???: :?: :!: